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元件参数资料
>
参数目录43855
> STD11NM60ND MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
型号:
STD11NM60ND
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STD11NM60ND PDF
其它有关文件
STD11NM60ND View All Specifications
产品目录绘图
ST Series DPAK
标准包装
1
系列
FDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
450 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
850pF @ 50V
功率 - 最大
90W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
标准包装
产品目录页面
1542 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
497-8477-6
查看STD11NM60ND代理商
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